CFMS2017 中国闪存市场峰会 China Flash Market Summit

2017年9月6日 中国·深圳

主办单位: 深圳市闪存市场资讯有限公司 指导单位:国家集成电路设计深圳产业化基地

三星第五代V-NAND:1Tb容量,1200Mbps IO速度

新闻报道 2017-09-26 18:31

9月6日的中国闪存市场峰会(CFMS2017)齐聚存储相关产业链人士一起探讨存储产业发展,以及如何深耕中国存储市场。本次峰会是以“中国存储•全球格局”为主题,由深圳市闪存市场资讯有限公司主办,邀请到三星、英特尔、美光、江波龙、Marvell等行业知名公司上台演讲。

三星集团自2013年开始投产3D NAND,并通过不断的研发投入和技术积累,将3D NAND技术提高到64层堆叠,产出占比已经达到70%。三星集团NAND Marketing副总裁, Kenny Han先生也应邀出席,并在会上作了以《三星闪存解决方案与全球市场》为主题的演讲。

Kenny Han先生首先分析了数据增长的趋势,他认为数据的产生来源从过去的语音文字通信和数据服务,发展到今天的云计算,再到未来的机器互联,呈迅猛增长的趋势,无论是在移动设备、数据中心、工业应用、家庭娱乐、自动驾驶还是物联网领域,NAND Flash都将成为数据新纪元时代的关键部分,扮演重要的角色。

其次,Kenny Han先生介绍了三星集团在3D NAND领域的最新研究进展,他表示作为行业领导者,三星不会满足于现在的技术止步不前,V-NAND技术的创新和迭代会继续下去,从2002年推出世界第一款1Gb NAND到2017年推出第一款1Tb NAND,三星一直保持着高容量NAND的领导地位,第五代V-NAND技术将支持1Tb容量密度及1200Mbps IO速度。

最后,三星在汽车、PC、服务器、移动设备及零售领域,都提供完整的解决方案。三星为移动设备提供UFS接口的高端嵌入式存储方案,eMMC接口的主流应用,及外部扩展存储设备。在零售方面,提供2.5寸SATA SSD硬盘,容量可达250GB-4TB,以及250GB-1TB的 NVMe SSD硬盘,同时也提供SATA/USB接口的便携式可移动硬盘。

在企业级领域,三星也有丰富的产品线,如NVMe接口的2.5寸或HHHL封装的PM1723b,提供2TB-16TB的存储空间,SAS接口的2.5寸PM1643是世界第一款32TB容量的SSD产品,同时将误码率降低了3个数量级,而读速度则提高了2.5倍。另外基于V-NAND技术,三星研发出了业界最低延时的Z-NAND技术,可以大大提高数据读写速度,以应对数据实时性要求较高的场合。针对数据中心,三星还专门推出了最新研发的NGSFF(Next Generation Small Form Factor)规格,在相同的空间中提供4倍的存储容量。

在会场的相应展区,三星集团也将主要产品线及最新的研发成果进行了现场展示。另外Kenny Han先生透露,三星将投资70亿美元扩建西安Memory工厂,以进一步提高产能和扩大市场份额。可以看到,各大厂商对存储市场未来的发展都充满了信心,在2D NAND全面向3D NAND技术切换的节点,行业领军企业已经开始了对下一代产品的研发进行了布局,在数据爆发式增长的时代背景下,存储行业将迎来新一轮的发展机遇。

三星电子NAND Flash和DRAM存储芯片已连续多年处于全球市场份额第一位置,在消费级SSD和企业级SSD产品市场占有率也是全球领先。由于三星在市场的优异表现,中国闪存市场峰会授予最佳表现奖。