美光:年底3D NAND产能占比升至80% 下一代产品高于72层
嘉宾专访 2017-09-25 17:30 国际电子商情
近日,美光副总裁Jonathan Shaw应邀出席中国闪存市场峰会(China Flash Market Summit),演讲结束后接受了国际电子商情记者采访,谈到最近存储市场的情况。
美光64层3D NAND后将超过72层数
近两年,几大存储芯片厂商皆在由2D NAND转向3D NAND,美光的3D NAND Flash于2016年底量产,第二代64层3D NAND于2017年进入量产,由32层32GB开始做起,目前已经发展到64层64GB。美光副总裁Jonathan Shaw表示,2017年底出货量会非常大,已有基于QLC的裸片样本,未来将投放到市场中。
2017年第二季度,美光NAND Flash市场份额为12.9%。受惠于企业SSD需求、市场供应短缺,以及3D NAND产能上升,NAND Flash营收表现良好。
Jonathan Shaw介绍,现在美光有一个管理机构,从生产角度提升产能并进行技术转化。在接下来的一年配备全自动化生产的工厂将有效促进产能的增加。
现在各家原厂正积极的扩大64层/72层3D NAND的量产,三星、东芝/西部数据等也正在规划向下一代96层或更高的层数的QLC发展,当问及美光的72层 3D NAND有何进展时,Jonathan Shaw回答,美光的下一代产品必将超过72层,一切都在有条不紊的进行中。
美光还非常看好SSD市场的发展,伴随着3D NAND技术的快速发展,有机会通过3D TLC的SSD取代企业级HDD市场。企业级SSD出货将随着数据中心的需求而增长,因此美光未来的营收成长也将持续看好。
NAND FLASH供货缓解或将在2018年第二季度
由于技术转换,2D NAND产量缩小,以及3D NAND爬坡使得NAND Flash货源不足,价格强劲上涨。消费类闪存产品每GB的单价从2016年0.12美元上涨到0.3美元以上,主流的eMMC产品上涨幅度超过60%,SSD产品超过80%。Jonathan Shaw认为,闪存缺货形势或将于2018年第二季度缓解,但不是特别确定。他同时认为,供货情况应从细分市场来看,像存储卡类的市场供应并不紧张。
右:美光副总裁Jonathan Shaw
实际上,据了解缺货能否得到缓解也要看几个因素。例如3D NAND的良率情况,各大厂商的扩产情况等。三星、西部数据、东芝、美光、英特尔等都已将扩展提上日程。现在美光新加坡IMFS Fab10N为美光3D NAND主力出货工厂,作为扩产计划的一部分,美光新加坡IMFS Fab10X工厂在2017年第一季度开始试产3D NAND,且将100%用于3D NAND生产。据介绍,2016-2017财年,美光3D NAND的生产占比约为75%,今年底将提升至80%。之所以保留了少部分2D NAND产能,是因为在车载、嵌入式应用、通讯设备方面都有长周期需求,故还将持续供货2D NAND。
三星尽管最先量产3D NAND,不过基本以自用为主,现在3D NAND释出市场的大部分为美光供应。美光也非常看好中国市场潜力。Jonathan Shaw表示,因为上游存储芯片供应商有限,导致市场并没有太多选择,而中国大陆市场基数大,需求旺盛,创新企业非常多,情形像极了四五年前的台湾。因此,美光也对中国大陆市场倾注更多的关注和供应。