9月6日的中国闪存市场峰会（CFMS2017）齐聚存储相关产业链人士一起探讨存储产业发展，以及如何深耕中国存储市场。本次峰会是以“中国存储•全球格局”为主题，由深圳市闪存市场资讯有限公司主办，邀请到三星、英特尔、美光、江波龙、Marvell等行业知名公司上台演讲。

三星集团自2013年开始投产3D NAND，并通过不断的研发投入和技术积累，将3D NAND技术提高到64层堆叠，产出占比已经达到70%。三星集团NAND Marketing副总裁, Kenny Han先生也应邀出席，并在会上作了以《三星闪存解决方案与全球市场》为主题的演讲。

Kenny Han先生首先分析了数据增长的趋势，他认为数据的产生来源从过去的语音文字通信和数据服务，发展到今天的云计算，再到未来的机器互联，呈迅猛增长的趋势，无论是在移动设备、数据中心、工业应用、家庭娱乐、自动驾驶还是物联网领域，NAND Flash都将成为数据新纪元时代的关键部分，扮演重要的角色。

其次，Kenny Han先生介绍了三星集团在3D NAND领域的最新研究进展，他表示作为行业领导者，三星不会满足于现在的技术止步不前，V-NAND技术的创新和迭代会继续下去，从2002年推出世界第一款1Gb NAND到2017年推出第一款1Tb NAND，三星一直保持着高容量NAND的领导地位，第五代V-NAND技术将支持1Tb容量密度及1200Mbps IO速度。

最后，三星在汽车、PC、服务器、移动设备及零售领域，都提供完整的解决方案。三星为移动设备提供UFS接口的高端嵌入式存储方案，eMMC接口的主流应用，及外部扩展存储设备。在零售方面，提供2.5寸SATA SSD硬盘，容量可达250GB-4TB，以及250GB-1TB的 NVMe SSD硬盘，同时也提供SATA/USB接口的便携式可移动硬盘。

在企业级领域，三星也有丰富的产品线，如NVMe接口的2.5寸或HHHL封装的PM1723b，提供2TB-16TB的存储空间，SAS接口的2.5寸PM1643是世界第一款32TB容量的SSD产品，同时将误码率降低了3个数量级，而读速度则提高了2.5倍。另外基于V-NAND技术，三星研发出了业界最低延时的Z-NAND技术，可以大大提高数据读写速度，以应对数据实时性要求较高的场合。针对数据中心，三星还专门推出了最新研发的NGSFF（Next Generation Small Form Factor）规格，在相同的空间中提供4倍的存储容量。

在会场的相应展区，三星集团也将主要产品线及最新的研发成果进行了现场展示。另外Kenny Han先生透露，三星将投资70亿美元扩建西安Memory工厂，以进一步提高产能和扩大市场份额。可以看到，各大厂商对存储市场未来的发展都充满了信心，在2D NAND全面向3D NAND技术切换的节点，行业领军企业已经开始了对下一代产品的研发进行了布局，在数据爆发式增长的时代背景下，存储行业将迎来新一轮的发展机遇。

三星电子NAND Flash和DRAM存储芯片已连续多年处于全球市场份额第一位置，在消费级SSD和企业级SSD产品市场占有率也是全球领先。由于三星在市场的优异表现，中国闪存市场峰会授予最佳表现奖。